517 京东方的求救（4k）（2/5）

「我们实验得出的几项关键数据，跟东芝的完全不一样，差得还不是一点点。」

「您是说东芝又在数据上造假了？」

「这个「又」字用的很对！」

陆飞不爽地撇撇嘴，日企仔技术资料和研究数据上造假早就是惯犯，蜜月期的时候就被坑惨啦，设备、零部件乃至原料全都有鬼。阑

三峡工程就差点招标霓虹造假的钢铁。

狗屁的工匠精神！

东芝根本没法做出有效的BiCS，本来整个工艺是交替沉积氧化物（SiO）层和多晶硅（pSi）层实现的，然后在这个层堆叠中形成一个通道孔，填充氧化物—氮化物—氧化物（ONO）和pSix。

接着沉积光刻胶，在连续的蚀刻流程后，光刻胶修整再蚀刻出个阶梯，形成互连。

最后一

步，蚀刻出一个槽再填充氧化物。

然而问题不是出在第三步的光刻胶蚀刻，就是出在流片封测上，哪怕侥幸成功，粗粗一算，良品率低得简直令人发指——

才%！阑

「陆总，东芝难道就没有一个说法吗！」

胡煜华愤愤不平道：「这个项目我们已经砸了亿美刀啊！」

「能有什么说法？」

陆飞拳头攥紧，积压着火：「东芝负责这个项目的技术总工割腕住院，会计卧轨死了，西田这个王八蛋把腰一弯，说句「红豆泥斯密马赛」就想死不认账，吗的，哪有这么便宜的事！这群小霓虹我怀疑是组团忽悠我们，背地里一直在贪污研发经费。」

「这也太无耻了吧？」

胡煜华万万没想到东芝能这么臭不要脸，一时无语道：「那我们不是白折腾了吗？」

「哈哈哈，不白折腾。」阑

陆飞转怒为喜，「东芝敢这么干，不就欺我逻辑无能人嘛？

可巧了，我们还真有人！

朱一明觉得先栅极行不通，能不能试一试后栅极，交替氧化物层和氮化物层，结果他们真捣鼓出一个有别于「BiCS」的新工艺，叫「TCAT」，TerabitCellArrayTransistor。」

（ps：三星就是这个工艺）

「陆总，流片封测的结果怎么样？」

「相当可观，良品率提高了1倍之多。」

「天呐！！」阑

胡煜华倒吸一口凉气，这项工艺如果发展顺利，完全够格入选guo家科技进步奖。

而且，至少是二等奖！

「嘘，保密阶段，没看庆功宴都没有吗。」陆飞做了个噤声的手势，「东芝不会知道我们背着他们偷偷成立了一个新的项目组，而且是独占，现在你觉得这钱花的冤枉？这笔技术交叉许可亏吗？」

「陆总，您这是一石三鸟！」

胡煜华兴奋中带着一丝敬佩，虽然钱被贪了，项目黄了，但东芝帮复芯培养了一批闪存芯片的高精尖人才。