第48章 绝密研究所（3/5）

圆片加工完成后，送至中测厂进行中测，也叫晶圆测试（ChipTest，简称CP），中测完成，圆片上打点标记失效的管芯，交给封装厂。

封装厂进行圆片减薄、贴膜、划片、粘片、打线、注塑、切金、烘干、镀锡等等操作后，封装完成。

芯片有些功能和性能在中测时无法检验的，需要进行成测（FinalTest，简称FT），成测完成的芯片，即可入产品库，转入市场销售了。

芯片的研发过程，是一个多次循环迭代的过程，测试验证过程中发现问题，就需要返回修改设计，然后再次测试验证；后端版图实现过程中，如果时序、功耗、面积、后仿真等通不过，也可能要返回原始设计进行修改；芯片投片出来后，测试性能指标和可靠性达不到设计要求，需要分析定位问题，修改设计，再次投片验证，等等。

芯片研发环节多，投入大，周期长。任何一个细节考虑不到或者出错，都有可能导致投片失败，技术研发充满了不确定性，可能导致时间拖延及投片失败，因此，一个成熟产品的研发，可能需要多次的投片验证，导致周期很长。

芯片设计的规模比较大，系统复杂，为了减小投片风险，系统设计和测试验证的工作十分重要，一方面依靠强大的EDA工具，另一方面依靠经验和人员时间投入。

芯片转入量产后，如果成品率不稳定或低于预期，需要与代工厂分析原因，进行工艺参数调整，多次实验后，找到最稳定的工艺窗口，提高芯片的可靠性和良率，降低成本。

常见的芯片投片方式有工程批（FULLMASK）和多项目晶圆（MulTIProjectWafer，简称MPW）两种方式。

随着制造工艺水平的提高，在生产线上制造芯片的费用不断上涨，一次微米工艺的工程批生产费用就要20-30万元，而一次微米工艺的工程批生产费用则需要60-120万元，如果采用高阶工艺，试验片成本更会呈几何倍数提高，

例如一次7纳米工艺需要七八百万元，如果设计中存在问题，那么制造出来的所有芯片将全部报废。